半导体制造过程中涉及多种薄膜工艺，薄膜厚度是影响器件性能和良率的关键参数
器件性能
薄膜厚度直接影响器件的电学性能、光学性能和可靠性
工艺均匀性
晶圆表面薄膜厚度的均匀性是衡量工艺质量的重要指标
良率控制
精确的薄膜厚度测量有助于提高生产良率，降低制造成本
针对半导体制造全流程的薄膜测量需求，提供专业的测量方案
支持正胶、负胶、光刻胶剥离液等多种光刻材料的厚度测量，精度可达±0.1nm。
精确测量氧化硅、氮化硅、氧化铝等介质薄膜的厚度和光学常数。
测量铝、铜、钛、钨等金属薄膜厚度，支持金属多层膜结构分析。
精确测量氮化钛、氮化钽等阻挡层薄膜厚度，确保器件可靠性。
测量氮化硅、氧化硅等钝化层厚度，保障器件长期稳定性。
针对硅通孔（TSV）工艺的绝缘层厚度测量，支持3D封装应用。
提供多种测量方案，满足不同应用场景和测量需求
