灵活集成方案

多点纳米膜厚
传感器

支持多点同时测量的高精度膜厚传感器，适用于复杂薄膜工艺的实时监测。

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核心优势

为复杂薄膜工艺提供高精度、多点同步测量的解决方案

小型化设计

紧凑结构，易用集成到各类设备中

安装简便

可横着、竖着、倒着安装，各方向均可

多点同步测量

支持多个点位同时测量，实时获取全wafer薄膜分布

技术支持

专业技术团队提供全方位支持

真空沉积方案

专为真空沉积工艺设计，支持PVD/CVD/ALD工艺在线监测

毫秒响应

响应时间<100ms，实时监控膜厚变化

工艺闭环

支持与沉积设备联动，自动调整工艺参数

SECS/GEM

支持半导体标准通讯协议，无缝集成MES

12英寸晶圆

支持最大12英寸晶圆，满足先进制程需求

技术规格

满足半导体级生产环境的高精度实时监测系统

测量性能

测量范围 1nm - 500μm

测量精度 ±0.2nm

响应时间 <100ms

采样速率最高100Hz

稳定性 <0.1nm/8h

系统规格

适用工艺 PVD / CVD / ALD

晶圆尺寸 6" / 8" / 12"

窗口材质石英 / 蓝宝石

安装方式 CF法兰 / KF接口

工作温度 -20°C ~ 150°C

通讯接口

SECS-I / SECS-II (SEMI E4/E5)

GEM 2.0 / 300mm (SEMI E30)

TCP/IP / RS-232 / RS-485

模拟量输出 (4-20mA / 0-10V)

Modbus TCP / OPC UA

物理规格

探头尺寸 Φ60 × 150mm

控制器尺寸 19" 标准机架

供电 AC 220V, 50Hz

功耗 <150W

真空兼容性 10⁻⁸ Torr

应用领域

多点纳米膜厚传感器广泛应用于半导体、光伏、LED、MEMS等制造领域

半导体制造

光伏电池

LED制造

MEMS器件

在线监测设备

检测仪器

自动化产线

智能设备

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